BFG520/X |
RFQ for BFG520/X Required Field |
 |
| Technical/Catalog Information | BFG520/X,215 |
| Vendor | NXP Semiconductors |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Frequency - Transition | 9GHz |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.6dB ~ 2.1dB @ 900MHz |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 20mA, 6V |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
| Gain | - |
| Power - Max | 300mW |
| Compression Point (P1dB) | 17dBm |
| Package / Case | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Drawing Number | 568; SOT143B; ; 4 |
| Mounting Type | * |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | BFG520 X,215 BFG520X,215 |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| BFG520/X | - | SOT143 | N/A |
NPN silicon planar epitaxial transistors, intended for applications in the RF frontend in the GHz range, such as analog and digital cellular telephones, cordless telephones (CT1, CT2, DECT, etc.), radar detectors, pagers and satellite TV tuners (SATV) and repeater amplifiers in fibre-optic systems.
The transistors are encapsulated in 4-pin, dual-emitter plastic SOT143 and SOT143R envelopes.
Features |
| · High power gain· Low noise figure· High transition frequency· Gold metallization ensures excellent reliability. |
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
| SYMBOL | PARAMETER |
CONDITIONS |
MIN. |
MAX. |
UNIT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VCBO | collector-base voltage |
open emitter |
- |
20 |
v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VCEO | collector-emitter voltage |
open base |
- |
15 |
v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VEBO | emitter-base voltage |
open collector |
- |
2.5 |
v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IC | DC collector current |
- |
70 |
mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ptot | total power dissipation |
up to Ts = 88 °C; note 1 |
- |
300 |
mW | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tstg | storage temperature |
-65 |
150 |
°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tj | junction temperature |
- |
175 |
°C
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